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  • Q: 印刷电路板 PCB

    印刷电路板(PCB)由铜层和FR4/5或BT树脂组成,是一种安装基板。 典型的厚度为0.3 mm – 2 mm

  • Q: 球栅阵列封装 BGA

    球栅阵列封装以环氧树脂(FR4/5)或BT树脂作为基板,采用打线接合(wire-bonded)或覆晶(flip-chipped)将晶粒连接到基板。晶粒背面通常封装到环氧树脂中,封装没有引脚,通过焊球阵列连接到PCB。典型厚度为0.9 – 2.0 mm(包括焊球)。 常见的包装尺寸为4×4 – 20×20 mm。

  • Q: 四方扁平无引脚封装 QFN

    四方扁平无引脚(QFN)封装基于铜导线架,使用半封装技术,使晶粒后侧暴露在外。典型的晶粒尺寸为3×3 – 10×10 mm,但目前的趋势是尺寸越来越小。
    主要分为三类:
    Power QFN:厚度1.5-2.5mm(~0.5mm铜导线架)
    标准HE QFN:厚度0.8-1.2mm (最大0.2mm铜导线架)
    Thin QFN:厚度0.4-0.6mm(最大0.15mm铜导线架)

  • Q:表面声波元件 SAW

    表面声波元件(SAW)利用压电材料,将声波(即机械波)转换成电磁信号,或者将电磁信号转换成声波。  目前,常见的表面声波元件是SAW 带通滤波器(SAW BPF),根据频率对信号进行排序。 使用广泛的基质是脆性材料,如石英(SiO2)、铌酸锂(LiNbO3)和钽酸锂(LiTaO3)。

  • Q: 钛酸铅 PZT

    是一种具有压电特性的陶瓷材料(该材料因变形/压力而产生电荷)。常见的应用是医疗行业的超声波成像。 在大多数应用中,PZT垂直切割,形成一系列浅切口。

  • Q: 低温共烧陶瓷 LTCC

    低温共烧陶瓷(LTCC)基材使用耐火膜带与印制导线彼此叠加,采用共烧步骤制作而成。产品具有较低的介电常数和介电损耗,可以在多层结构中嵌入多层组件。

  • Q: 多层陶瓷电容器 MLCC

    绿色陶瓷,基本电容器,由两个导电电极组成,导电电极由绝缘介电材料隔开。 多层陶瓷电容器由高电容陶瓷材料薄层之间大量密集的平行电极组成。

  • Q: 陶瓷 Al2O3

    一种氧化铝组成的陶瓷材料,典型浓度为96-99.6%。 其硬度随着氧化铝浓度的增加而增加,高电阻和高热阻、高机械强度、良好的电气特征,高频率下低电介质损失。 典型的厚度为0.1 – 5.0 mm。

  • Q: LED 砷化镓应用

    砷化镓(GaAs)是一种直接能隙半导体材料,可以发光,因此常用于LED行业。 砷化镓具有高速性能,非常适合于移动电话等射频装置,以及用于雷达和智能武器等军事用途的微波装置。由于含有较高量的砷,因此,具有一定的危险性。

  • Q: 玻璃 Glass

    二氧化硅非晶态形式,具有或不具有饰变,是一种硬质、脆性、透明的材料,可作为各种应用的基材。 特定类型包括石英玻璃、硼硅酸盐玻璃和无碱玻璃。 典型厚度为0.3-5 mm,带或不带防护涂层和光学涂层。